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Renesas两个功率MOSFET的HAT2210WP电子设备行业资讯资讯-【资讯】

发布时间:2021-07-21 16:11:18 阅读: 来源:羊肉切片机厂家

瑞萨科技公司(Renesas)宣布推出具有两个功率MOSFET的HAT2210WP,封装形式是WPAK (瑞萨科技的封装代码)*1高热辐射封装,尺寸仅有5.3 × 6.1 × 0.8 mm (最大),用于笔记本电脑、通信设备及类似产品的DC-DC变换器中。在2004年10月29日,将从日本开始样品发货。

HAT2210WP的主要特性如下。

(1)低热阻

由于使用了WPAK高热辐射封装,与目前SOP-8封装的HAT2210R相比,热阻减小了一半。可以控制的输出电流也提高了大约50%,因此可以减少具有高电流处理能力的DC-DC变换器所需要的功率MOSFET的数目。

(2)与SOP-8封装的安装面积相同,但厚度仅有它的一半(0.8 mm (最大)。

HAT2210WP需要的安装面积与业界标准的SOP-8封装一样,是5.3 × 6.1 mm;但厚度大约仅是它的一半,为0.8 mm (最大),使得DC-DC变换器可以做得更小巧。

安装在信息设备如笔记本电脑和服务器中的存储器、ASIC和其它芯片需要不同的驱动电压,因此,需要使用一些DC-DC变换器。这些DC-DC变换器需要两个功率MOSFET,分别用于高边和低边*2应用。瑞萨科技目前大量生产的产品,具有两个功率MOSFET,封装形式是SOP-8封装,可以满足较小DC-DC变换器的需要。但是,各种芯片处理的数据量越来越大,需要可以处理更大电流、安装更多功率MOSFET的DC-DC变换器。

在这样的背景下,瑞萨科技开发出了新型HAT2210WP,它使用WPAK高热辐射封装,可以提高可以控制的电流量,实现更高的DC-DC变换器电流容量,并减少安装的功率MOSFET的数目。

HAT2210WP安装在印刷电路板(40 × 40 × 1.6 mm玻璃环氧板单个功率MOSFET操作)上时的热阻,从瑞萨科技目前SOP-8封装产品的110ºC/W,下降了一半,达到55ºC/W。因此,可以控制的输出电流提高了50%多,从SOP-8产品的3 A,提高到了5 A。当ASIC和其它芯片的驱动电流超过3 A,进入4 A- 5 A范围时,单个HAT2210WP就可以控制5 A的输出电流,而先前需要两个SOP-8封装的具有两个功率MOSFET的产品,因此,HAT2210WP使得DC-DC变换器可以做得更小。

而且,由于安装了高边和低边功率MOSFET,使用分裂漏结构。使用瑞萨科技最新的0.35 μm工艺的第8代功率MOSFET,具有业界的最高性能,设计时进行了优化,使高边MOSFET具有高开关速度、低边MOSFET具有低导通电阻,因此可以实现很高的效率,从而满足DC-DC变换器低压输出的需要。

在低边MOSFET中有一个肖特基势垒二极管,减小了MOSFET和肖特基势垒二极管之间的接线电感*3。在DC-DC变换器死区时间过程中,可以加速肖特基势垒二极管的换向,从而消除效率恶化,并减小噪声。

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